| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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VN10LP |
TO-226-3、TO-92-3 标准主体 | Diodes Inc | 4766 | 询价QQ： |
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VN10LP参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3 包装数量：4000 包装形式：散装 PDF资料下载： FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：60V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：270mA 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：60pF @ 25V 功率 - 最大值：625mW 安装类型：通孔 |
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热门型号： 电阻器网络，阵列CSC10A03150RGEK 光学 - LED SMFLP6.1 芯片电阻 - 表面RMCP2010FT61R9 陶瓷电容器VJ1825A360JBEAT4X 晶体管(BJT) KSA812OMTF 接线座 - 隔板块431113-22-0 快动，限位开关91MCE27-P5 芯片电阻 - 表面RMCP2010FT9R09 压接器，施用器，压0192270034 接线座 - 隔板块432613-08-0 |
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